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完全抛弃巨量转移制程,台湾中央大学研发Micro LED磊晶技术

作者:51Touch时间:2019-07-16 来源:大发pk10辅助未知

[摘要]由台湾中央大学光电系陈升晖教授带领的萌芽新创团队Microluce近期发表Micro LED磊晶技术,透过高能物理在低温状态下即可长出高品质氮化镓薄膜,完全抛弃主流的巨量转移制程,成本仅是现有微发光二极体显示器的十分之一

大发pk10辅助    北京时间07月16日消息,中国触摸屏网讯,无需“巨量转移”的Micro LED晶片技术发表。由台湾中央大学光电系陈升晖教授带领的萌芽新创团队Microluce近期发表Micro LED磊晶技术,透过高能物理在低温状态下即可长出高品质氮化镓薄膜,完全抛弃主流的巨量转移制程,成本仅是现有微发光二极体显示器的十分之一,具有量产潜力,相关技术已获得了台湾及美国专利。

    本文来自:http://tourdest.com/lcd/news/dynamic/2019/0716/54689.html

  巨量转移是现今Micro LED显示器重要的步骤,已发展近十年,但该团队认为巨量转移是错误方向,主要因现今的LED晶粒须覆晶制程及结构弱化等程序,蓝绿光材料是氮化镓,红光材料是砷化镓,两种材料的驱动电压不同,驱动电路将造成困难,尤其成本考量上,坏点修复问题不易克服,因此难以量产。

  该团队透过高能物理的方式,突破以往一千度以上的高温限制,在低温状态下即可长出高品质的氮化镓薄膜,温度可控制在500至700度左右;面版尺寸可从2英吋至12英吋,可随着制程设备等比例放大,并结合大数据分析,找出*磊晶模式。

  现今巨量转移2K画素的MicroLED面板成本高于33万台币,该团队自主开发的磊晶板,搭配奈米材料技术可达到全彩化的微发光二极体显示效果,一片面板的成本仅现有的十分之一,深具量产潜力。
 

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